原子層沉積系統

Atomic Layer Deposition System

產地：美國Angstrom；
型號：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III；

原子層沉積技術（Atomic Layer Deposition）是一種原子尺度的薄膜制備技術，它可以沉積均勻一致、厚度可控、成分可調的超薄薄膜。隨著納米技術和半導體微電子技術的發展，器件和材料的尺寸要求不斷地降低，同時器件結構中的寬深比不斷增加，這樣就要求所使用材料的厚度降低至十幾納米到幾個納米數量級。因此原子層沉積技術逐漸成為了相關制造領域不可替代的技術，其優勢決定了它具有巨大的發展潛力和更加廣闊的應用空間。

• 詳細介紹

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  主要型號：

  - Angstrom Dep II: 熱型原子層沉積系統 (T-ALD);

  - Angstrom Dep III: 等離子體增強原子層沉積系統 (PEALD);

  - Angstrom Dep I: 粉末原子層沉積系統 (Powder ALD);

   

  技術規格特點：

  - 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；

  - 基底加熱溫度：25℃~450℃(選配：650℃)；

  - ALD沉積均勻性：<1% (AL2O3@4”晶圓襯底)；

  - 前驅體源路：4路 / 6路 / 8路，可選；

  - 源瓶容量/溫度：100cc，常溫 / 150℃ / 200℃ / 250℃可選；

  - ALD閥門：Swagelok高溫ALD閥，150℃ / 200℃ / 250℃可選；

  - 載氣：氮氣或者氬氣；

  - 真空獲得系統：阿爾卡特真空機械泵，也可選配普發分子泵或高速干泵；

  - 其他可選模塊： Load-Lock樣品傳輸腔室，手套箱，冷阱，臭氧發生器，等離子體源、粉末沉積腔，各種原位監測模塊，尾氣處理系統等；

   

  ALD可沉積材料分類：

  - 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

  - 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

  - 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

  - 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

  - 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

  - 金屬單質：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

  - 復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

  等等…

   

  參考用戶：

  中科院化學所，中科院大連化物所，中科院長春光機所，北京大學，北京工大，北京科大，電子科大，上海理工大學…