VersaProbe 4

VersaProbe 4配置了全新設(shè)計的能量分析器，能夠?qū)崿F(xiàn)從微區(qū)到大面積的高靈敏度分析。同時還具備高精度的角度接受器、獨特的荷電中和技術(shù)以及多樣化的選配方案等特性，能夠提供極限深度分辨率。所有的這些特性都與最新的自動化技術(shù)相結(jié)合，使得VersaProbe 4能夠集高靈敏度、高可靠性和高可擴展性等優(yōu)勢于一體。

關(guān)鍵技術(shù)

• 從小面積到大面積的高靈敏度分析。

• 卓越的深度剖析表現(xiàn)。

• 獨特的自動電荷雙束中和技術(shù)。

• 自動化和遠程控制，提供靈活的工作環(huán)境。

• 多樣化的配置。

微聚焦的掃描X射線源

全新設(shè)計的高靈敏度和低噪音能量分析器

作為一種重要的表面分析方法，廣泛應(yīng)用于固體材料表面的元素組分和化學(xué)態(tài)的研究，例如電池材料、催化劑、集成電路、半導(dǎo)體、金屬、聚合物、陶瓷和玻璃等，可滿足從研發(fā)到失效分析的廣泛分析需求。

采用了全新設(shè)計的高靈敏度分析器，靈敏度是上一代的2倍，具有更低的檢測限，能夠?qū)崿F(xiàn)從微區(qū)(<10 μm)到大面積(>1 mm)的高靈敏度化學(xué)態(tài)分析。

獨特的微聚焦掃描X射線和 SXI影像，通過類似SEM的SXI影像可以作為樣品導(dǎo)航，實現(xiàn)100%精準地定義微區(qū)分析位置。

*SXI : 掃描X射線激發(fā)的二次電子影像

卓越的深度剖析表現(xiàn)

使用微區(qū)XPS分析技術(shù)進行準確的深度剖析

VersaProbe 4的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了深度分析的卓越性能。樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時實現(xiàn)高深度分辨率和高能量精度。

在不同起飛角（TOA）下獲得的10 nm SiO2/ Si薄膜的深度剖析結(jié)果。

獨特的自動電荷雙束中和技術(shù)

無需參數(shù)調(diào)整即可滿足任何絕緣樣品微區(qū)分析的荷電中和需求

VersaProbe 4配備了自動中和技術(shù)，無需分別對每個待測樣品進行中和參數(shù)調(diào)整。自動中和采用低能量電子束和低能量離子束的雙束同時中和的獨特技術(shù)，實現(xiàn)了簡單可靠的高效中和。

該技術(shù)適用于中和各種材料，配合操作軟件所提供的圖像配準功能，可為微區(qū)分析帶來無與倫比的自動化操作體驗。對于無機/有機混合材料以及從微區(qū)到大面積的所有分析尺寸，均可以進行可靠且自動化的檢測分析。

微區(qū)特征的圖像配準功能。

自動化和遠程控制，提供靈活的工作環(huán)境

遠程訪問實現(xiàn)對儀器的遠程控制

VersaProbe 4允許通過公司的局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。一旦樣品被引入分析室，就可以使用Intro照片和SXI導(dǎo)航樣品，創(chuàng)建采集任務(wù)的自動隊列，并可遠程檢查測量狀態(tài)和分析數(shù)據(jù)。我們的專業(yè)人員可以對儀器進行遠程診斷。

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多樣化的配置

• Ar團簇離子槍（Ar-GCIB）

• UPS（紫外光電子能譜）

• LEIPS（低能量反光電子能譜）配件

• 用于AES分析的掃描電子槍配件

• 專用REELS電子槍

• 可拓展的樣品進樣室

• 樣品傳送管

• 冷熱變溫樣品臺

• 4觸點冷熱變溫樣品臺

• 雙陽極X射線源

• C60離子槍

• 樣品預(yù)制備腔室