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德國布魯克元素分析 能譜儀 TEM/STEM/T-SEM QUANTAX EDS

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品特點

XFlash? 7T - 納米尺度上的彩色圖像: 用于 TEM 和 SEM STEM 的 EDS

詳細(xì)介紹


產(chǎn)品亮點:

80 keV
業(yè)界領(lǐng)先檢測能量范圍

對所有元素進(jìn)行精確的定性定量分析


TEM- 定量分析模型
基于理論和經(jīng)驗結(jié)合的 Cliff-Lorimer 因子以及Zeta- 因子修正的定量方法已經(jīng)在 TEM, STEM 和 T-SEM 中成功驗證


性能穩(wěn)定
使用增強的漂移校正功能可對周期性結(jié)構(gòu) (原子,層狀結(jié)構(gòu)) 進(jìn)行穩(wěn)定的元素面分析


透射電子顯微鏡中的納米尺度元素分析

靈活易用的分析軟件包 Esprit 具有開放的用戶界面,簡潔直觀。

離線分析選項 可通過獨立的系統(tǒng)或?qū)嶒炇揖钟蚓W(wǎng)等進(jìn)行離線的數(shù)據(jù)分析。

成熟的定量分析能譜數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):

不同的定量步驟選擇:初階的推薦配置,個性化設(shè)置,詳細(xì)的修正方法以及可以存貯/調(diào)用的預(yù)設(shè)方法。

基于理論和實驗的三種不同的定量方法 Cliff-Lorimer 因子法,Zeta- 因子法和修正的 Zeta- 因子法覆蓋了所有可能的應(yīng)用場景。

TEM- 專有的40 keV以上的元素譜線 保證了定量分析結(jié)果的確定性。

三種扣背底方法:用于塊狀樣品的物理扣除法,用于薄樣品的物理扣除法以及數(shù)學(xué)模型法。

吸收校正 已經(jīng)包含在 Cliff-Lorimer 定量分析之中。


TEM,STEM 和 SEM (T-SEM) 中薄樣品的高空間分辨率的元素面分布

  • Slim-line探頭設(shè)計,針對不同型號電子顯微鏡 (STEM,TEM,SEM) 極靴和 EDS 法蘭的專門設(shè)計保證了每一款 EDS 都處于 最 佳的工作狀態(tài)。

  • 更大的采集立體角和檢出角保證了數(shù)據(jù)采集的速度和靈敏度。

  • 精 準(zhǔn)且快速的探頭移動系統(tǒng)。                        

  • 獨特的漂移校正方法保證了周期性特征的納米尺度 EDS 分析。

  • 原位動態(tài)實驗的時間分辨數(shù)據(jù)采集方法 可以保存持續(xù)變化的數(shù)據(jù)流,例如,持續(xù)升溫實驗的數(shù)據(jù)。

  • 使用腳本和API選項進(jìn)行自動數(shù)據(jù)采集和分析可以對指定的多項分析工作進(jìn)行批處理。

  • 干凈的原始數(shù)據(jù)無須后期校正 完全隔離了振動和磁場的干擾,樣品傾斜,吸收,陰影效應(yīng)和系統(tǒng)峰都降至更小。

  • 經(jīng)過時間驗證的 EDS 數(shù)據(jù)定量方法 為透射電鏡樣品提供全面,精 準(zhǔn)的測試數(shù)據(jù)。

  • 更好的培訓(xùn)體系 幫助用戶把TEM系統(tǒng)用到極 致。

使用 TEM 的新一代XFlash? 7 EDS探頭得到的結(jié)果


EDS analysis of battery



? Image and sample courtesy of Michael Malaki, Shamail Ahmed; Material Science center, Faculty of physics, Philipps University Marburg


使用 EDS 分析鋰電池陰極材料顆粒的包覆層

NCM陰極材料 (SSB 和 LIB) 的保留電容可以通過包覆層結(jié)構(gòu)來改善。為控制這些納米級包覆層的品質(zhì),一定要了解其元素分布情況。此處是我們使用 SEM/TEM -能譜對這種表面不規(guī)則的微米級陰極材料顆粒的分析結(jié)果,顯示出了納米級的分辨率,同時也給出了 SEM/TEM EDS 的對比。


基于 TEM 的元素分析在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用

半導(dǎo)體


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NiSi(Pt)-NiSi2半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中Pt 的定量

從 Si 上的 NiSi(Pt)-NiSi2 結(jié)所獲得的低 X 射線能量端譜圖。實驗測得譜圖為黑色線,譜峰剝離的結(jié)果顯示為純色峰。

在這個案例中,我們展示外延生長的 Pt 合金 NiSi 薄膜的 EDS 表征數(shù)據(jù)。NiSi 是用于半導(dǎo)體器件(如 MOSFET)的 納米級尺寸金屬結(jié)構(gòu)材料。NiSi 材料中加入 Pt 可以在高溫下穩(wěn)定金屬 NiSi,避免其轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電性較低的 NiSi2 相。Pt 可溶于NiSi 中的Ni,但Pt 不溶于NiSi2。

Ni 和 Pt 被磁控濺射在 HF 清潔的 (001) Si 晶圓上。從單個 Pt 源濺射出的 Pt 量經(jīng)過控制,最 終實現(xiàn)產(chǎn)物中僅有幾個原子百分比的Pt 含量。在氮氣保護下,薄膜在700度條件下迅速退火30秒,產(chǎn)生了NiSi和NiSi2的混合物。密度較高的 NiSi 的質(zhì)量襯度較亮,即在高角環(huán)形暗場像 (HAADF) 中更亮。由于 Pt 能量邊,EELS 很難量化這種材料 Pt 的含量。

然而,在覆蓋有HAADF圖像并在7分鐘內(nèi)獲取的EDS圖中,Pt 清晰可見。傳統(tǒng) STEM 上的 0.12 sr、22° 起飛角度的硅漂移探測器用于 EDS 數(shù)據(jù)采集。這個 EDS 實驗證實了檢測 NiSi 中 Pt ,EDS 是首 選的解決方案。使用理論的 Cliff-Lorimer 因子對 NiSi 中的 Pt 含量進(jìn)行定量,結(jié)果表明Pt 的原子百分比為2%,誤差范圍 ±1% 內(nèi)。具體結(jié)果,參見定量圖和提取的線掃描。這兩張圖都表明Pt 在 NiSi 中分布是均勻的,且含量在2 at%左右。


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層狀結(jié)構(gòu)的化學(xué)物相分析

在許多情況下,進(jìn)一步處理元素面分析以獲得更清晰的樣品圖像是有利的。我們對層狀樣品的定量面分析進(jìn)行了演示。第 一張圖顯示了樣品中元素定量面分析的混合圖。整張圖片顯得相當(dāng)"嘈雜"。在這張圖中,我們定義了三個感興趣或者由代表性的區(qū)域,它們是兩個矩形和一個較小的圓形區(qū)域,用于展示測試程序。

Autophase 功能可以在 “Objects”(選區(qū)分析) 模式下啟動。它可以在主要成分分析中使用定義的區(qū)域作為參考,在圖中查找成分類似的區(qū)域,并將這些區(qū)域劃分為同一物相。結(jié)果見第二張圖。第二張圖中可以區(qū)分和定位 Zn 和 Cd 含量不同的兩個物相。而由線掃描和點分析導(dǎo)致樣品表面產(chǎn)生的碳污染則被分配成為第三物相。左側(cè)的灰色區(qū)域位于感興趣的區(qū)域之外,與其他物相相比,灰色區(qū)域是"未分配的",其成分與已確定的物相都不同。而最 右側(cè)的區(qū)域也含有碳。


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納米線的化學(xué)特性

納米線EDS光譜,顯示Au和P的解卷積譜峰剝離結(jié)果

納米結(jié)構(gòu),比如納米線和納米棒,以及功能化納米囊代表了納米技術(shù)在近些年的迅猛發(fā)展。它們在很多方面具有非凡的應(yīng)用前景,比如納米電子設(shè)備或納米藥物在人體中的輸送。

多結(jié)III-V 納米線是非常有前景的單電子晶體管。在這個案例里,我們使用0.12 sr 固體角,22度檢出角的能譜探頭對它進(jìn)行分析。這個樣品是由意大利 Laboratorio NEST, Scuola Normale Superiore Pisa 提供。布魯克的超光譜“HyperMap”為每個像素保存譜圖,允許對采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行仔細(xì)的在線或離線分析。在對不同元素重疊峰進(jìn)行譜峰剝離之后,可以正確再現(xiàn)納米線中的元素分布。重疊的Au Mα 和P Kα 線的解卷積(見右譜)對于正確表示納米線尖 端可見的金催化劑顆粒至關(guān)重要。4x4 像素并和模式用于增強統(tǒng)計。厚度低至 1.5 nm 的單富 P 層清晰可見(元素分布圖和提取的定量線掃描)。提取的線掃描的定量元素輪廓還顯示,In 濃度保持在50%,而 As和P則相互交換,組成其余50%的納米線的成分。


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在石墨烯上識別單個原子

獲得單個原子的譜圖不僅是EDS的最 高藝術(shù),而且可以提供有關(guān)特定元素的激發(fā)特性的寶貴新信息。

在這個案例中,我們使用 EELS 和 EDS 同時分析含有單個硅原子的石墨烯單層。通過這兩種方法,原子可以識別為 Si。此外,這種方法也可以識別一個單 Pt 原子(數(shù)據(jù)發(fā)表在[1];進(jìn)一步閱讀參見[2])。

EDS 譜圖見下圖。考慮到使用的束流和采集時間,根據(jù)當(dāng)前模型,預(yù)計計數(shù)數(shù)量大約是實驗測得數(shù)據(jù)的兩倍。由于這一結(jié)果對于其他元素的表征也是一致的,進(jìn)一步能譜理論研究將是十分重要且有趣的。


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半導(dǎo)體內(nèi)連結(jié)的化學(xué)成分表征

在標(biāo)準(zhǔn)掃描透射電子顯微鏡 (STEM) 上使用 30 mm2 的探測器面積的能量分散 X 射線光譜(EDS 或 EDX) 可在幾分鐘內(nèi)提供具有納米級分辨率的元素面分析。分析條件是,當(dāng)探測器頭足夠小(細(xì)管徑設(shè)計),探測器就可以盡可能接近試樣(高固體角)并且相對試樣足夠高(高檢出角)。后者有助于避免陰影效應(yīng)和降低吸收對結(jié)果的負(fù)面影響。

標(biāo)準(zhǔn)STEM安裝30 mm2有效面積,帶有SLEW 的EDS,探測器可以達(dá)到0.09 sr固體角和22°的檢出角。我們用它來分析半導(dǎo)體內(nèi)連接結(jié)構(gòu)(圖1)。元素分布可以被成功表征。使用Cliff-Lorimer方法定量處理EDS數(shù)據(jù)。ESPRIT 軟件中Cliff-Lorimer理論因子的計算基于以下信息:

在相同條件下研究的一系列標(biāo)本中,使用理論計算因子的 Cliff-Lorimer 方法相對于樣本系列中所選的標(biāo)準(zhǔn)樣品,可精確到幾個原子百分比內(nèi)。EDS 數(shù)據(jù)清楚地顯示了 Ta 和 TiN 互連襯里的鉭和鈦,以及銅和鎢填充(圖 2)。鈦信號可以從氮信號中分離。可以去工作并正確分配 Si、Ta 和 W(圖 3)。

圖1:內(nèi)連接結(jié)構(gòu)的高角環(huán)形暗場像。 標(biāo)本來源:Synergie4。
圖2:從355像素×678像素元素面分析中提取的數(shù)據(jù),采集時間:15分鐘。左:幾個相關(guān)元素的凈計數(shù)結(jié)果圖。中:使用 4x4 像素并和模式對 Ta 進(jìn)行定量分析。右圖:使用 8x8 像素并和模式的 Ti 分布。


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使用 STEM (T-SEM) -EDS 對半導(dǎo)體 RAM 微芯片進(jìn)行超高分辨的面分析

采用X射線方法表征半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的元素分布圖并不總是直截了當(dāng)?shù)摹T谘芯堪雽?dǎo)體材料時,實現(xiàn)納米尺度空間分辨率和X射線峰值重疊的解卷積是常見的挑戰(zhàn)。有時,使用 SEM 進(jìn)行表征而不是昂貴的 TEM ,不光節(jié)省經(jīng)濟成本還節(jié)省時間成本。

在這個案例中,我們展示了使用環(huán)形 XFlash? FlatQUAD EDS 探測器,在 SEM 中獲取的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的高分辨率 EDS 圖。XFlash? FlatQUAD的 4 個 SDD 環(huán)形排列整體具有對稱性,測試時探測器位于在試樣和 SEM 極片之間。測試條件為 20 kV 加速電壓和 220 pA 電流。XFlash? FlatQUAD 的高靈敏度允許在SEM中實現(xiàn)超過10 nm的空間分辨率(見圖2)。盡管 X 射線峰值重疊嚴(yán)重,但硅 (Si) 和鎢 (W) 在結(jié)果圖上可以很好地區(qū)分,這要歸功于布魯克 ESPRIT 軟件中優(yōu)秀的峰值解卷積的模型(參見圖 1)。


納米材料

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磁性納米結(jié)構(gòu)的面分析表征

這個球差校正 HAADF 圖像展示了幾個 SiO2 顆粒以及其外殼的結(jié)構(gòu)信息。由于外殼層包含的元素原子量高,這個磁性外層在HAADF對比度中比Si亮得多。

該試樣由一個 SiO2 球體組成,該球體涂有納米薄層鉭(Ta)和銠(Ru)最外層的成分則包含鈷 (Co)、鉑 (Pt)、鉻 (Cr) 和氧 (O)。正如球差校正電鏡的HAADF 像展示的,這個結(jié)構(gòu)的最外層有一個刺豬樣的結(jié)構(gòu)。使用傳統(tǒng) STEM 中的 EDS 可以獲取材料上元素的信息,并且清楚地了解它分層的結(jié)構(gòu)。例如,使用 8 x 8 像素并和模式對圖進(jìn)行定量后,很容易區(qū)分由 Ru 和 Ta 組成的種子層,以改進(jìn)這種快速測量的統(tǒng)計信息。混合元素圖則展示更多信息,這些信息對功能磁層的屬性和生產(chǎn)過程非常重要:

a) Co 和 Pt 均勻分布在頂層

b) Co 和 Pt 在單個晶體上形成封閉膜,導(dǎo)致磁連接和容易切換行為

c) Cr 似乎集中在結(jié)構(gòu)的表面。

在APL 的這篇論文中(Magnetic hedgehog-like nanostructures, C. Brombacher, M. Falke, F. Springer, H. Rohrmann, A. Goncharov, T. Schrefl, A.Bleloch, M. Albrecht Appl. Phys. Lett. 97, (2010) 102508. DOI: 10.1063/1.3486679),球差電鏡上高清的EELS 表征展示,鉻氧化物在刺豬樣結(jié)構(gòu)間隔絕了單Pt-Co晶體,因此磁性各向異性可用于設(shè)備應(yīng)用,如數(shù)據(jù)存儲。


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Pd-Pt 核殼結(jié)構(gòu)顆粒的定性和定量面分析

Pd-Pt 核殼顆粒的HAADF圖像,本應(yīng)用例中分析了最 亮的一個

核殼結(jié)構(gòu)的顆粒在納米技術(shù)中發(fā)揮著越來越重要的作用,特別是在催化中。

本應(yīng)用示例提供 Pd-Pt 核殼納米顆粒的元素分布圖。左側(cè)的圖像庫包含一個包含 Pd 和 Pt 顆粒的混合元素 HAADF 圖像。定量的單元素圖提供了更清晰的核殼元素分布圖。除此之外,也可以看到,顆粒的左側(cè)并沒有 Pt,這是由于生產(chǎn)過程的特殊設(shè)計。

數(shù)據(jù)是由Johnson Matthey 和 the University of Birmingham (UK)提供的。


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原子柱 EDS 分析

半導(dǎo)體的特性由其在原子水平上的結(jié)構(gòu)決定,例如點缺陷。以盡可能高的分辨率使用 EDS 面分析,可以定位和表征此類缺陷。

在這個應(yīng)用案例中,我們研究了M. W. Chu 提供和已發(fā)布的數(shù)據(jù)(M. W. Chu et. al., Phys. Rev. Lett. 104, 196101 (2010))。樣品是由 InGaAs 和 InAlAs 的交替層組成的一個多層結(jié)構(gòu)。使用僅 3 ms 單像素停留時間(13 s 總測量時間)和 33 pA 探針電流,我們可以確定 InGaAs 結(jié)構(gòu)的一個原子柱中 In 的成分變化。

缺乏In 的區(qū)域可以從右下圖的缺失藍(lán)色的區(qū)域找到。In 的缺失還會導(dǎo)致顯示的 HAADF 線掃描文件中的 InGa 柱強度的降低。


生物/軟物質(zhì)材料

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以LaB6為例進(jìn)行定量分析

六硼化鑭(LaB6) 是 S/TEM 定量 EDS 分析的一個非常說明性的例子,因為它包含兩個極端,一個很輕的元素 (B) 和一個重元素 (La)。LaB6可用于顯示布魯克 XFlash? 探測器和Cliff-Lorimer 定量方法的性能。

未知樣品的定量測試從元素識別開始。要定量的元素可以通過自動或交互式方式進(jìn)行定義。來自元素雜散輻射的能量峰,例如,樣品架上的 Cu 網(wǎng)或碳污染只用于解卷積。下一步是扣背底,我們提供了一種特殊的韌致輻射物理模型,以完 美擬合實際的背底。第三步是解卷積——譜峰剝離,軟件中提供了幾種不同的擬合模型可用于實現(xiàn)最 佳的峰值分離。最 后,使用理論或校準(zhǔn)的Cliff-Lorimer(CL) 因子完成定量。

LaB6 標(biāo)樣(譜圖庫中的綠松石光譜)可用于實驗中校準(zhǔn)Cliff-Lorimer因子。

使用理論CL因子的結(jié)果已經(jīng)顯示了布魯克的Cliff-Lorimer定量的優(yōu)異性能。它們非常接近預(yù)期構(gòu)成 La 14.29 at%和 B 85.71 at.%。此外,使用La K系列代替L進(jìn)行定量的結(jié)果表明,QUANTAX系統(tǒng)非常適合譜圖采集,也非常適合超過20kV 線系峰的定量。


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生命科學(xué)領(lǐng)域的 EDS

酵母細(xì)胞的元素面分析

如果必須同時確定材料中的許多元素,S/TEM 中的 EDS 尤其有用。相當(dāng)多的生命科學(xué)的 EDS 應(yīng)用就是這種情況。下圖們展示了一個有趣的應(yīng)用,被鋨元素污染以及銀標(biāo)記的酵母細(xì)胞。酵母細(xì)胞的EDS 元素面分析圖在 24 分鐘內(nèi)采集完成,使用的探測器固體角為 0.12 sr 起飛角度為 22°。銀標(biāo)記(在明場像中的小暗特征)被成功表征。此外,EDS 提供了此細(xì)胞樣本中所有其他元素的分布。例如 N、C、S 和 P。而且,混合元素面分析提供了不同元素分布關(guān)聯(lián)的信息。這些結(jié)果圖包含兩個混合顯示示例,一個是 C 和 O 的元素分布圖,另一個是 N、Os 和 Ag 元素分布圖。

由于 TEM-EDS 的性能近年的顯著提高,生命科學(xué)領(lǐng)域現(xiàn)在可以實現(xiàn)新的納米級表征。



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酵母細(xì)胞的免疫標(biāo)記和人血細(xì)胞中的瘧疾寄生蟲的化學(xué)

掃描透射電子顯微鏡(STEM)中的能量分散X射線光譜(EDX或EDS或EDXS)可為生命科學(xué)提供有價值的數(shù)據(jù),例如:細(xì)胞和組織成像。用于 EDS 的硅漂移探測器在低能端非常敏感,因此現(xiàn)在 EDS 通常可以檢測與生命科學(xué)相關(guān)的少量輕元素,如鈣、氧、氮和硫。

此外,EDS 允許在一次實驗中對元素周期表幾乎所有元素進(jìn)行面分布表征,這樣的面分析表征通常只需幾分鐘。這使得電子顯微鏡中的EDS成為研究復(fù)雜生物材料的重要設(shè)備。

生物礦化是一個合適的研究方向,因為氧或鈣等元素的EDS面分布表征是可行的。此外,酵母細(xì)胞的免疫標(biāo)簽也可以通過它們周圍的成分所被EDS 識別。

圖1:嵌入樹脂的瘧原蟲感染的人體血細(xì)胞,瘧疾引起寄生蟲。輕和重元素的定量面分析。探測器參數(shù) 30mm2 EDS 探測器面積,固體角 0.09 sr,檢出角 13°,標(biāo)準(zhǔn) STEM,采集時間 20 分鐘。數(shù)據(jù)提供:C. Biot, C. Slomianny, Lab. of Cell Physiology, University of Lille, France.
圖2:使用ESPRIT軟件對鋨元素還有磷元素譜峰進(jìn)行分離

例如,在標(biāo)準(zhǔn)STEM中,使用EDS對感染了惡性瘧原蟲(導(dǎo)致瘧疾的瘧原蟲)的嵌入人類紅細(xì)胞的樹脂進(jìn)行了分析。定量面分布和譜圖分析見圖1。用于染色的金屬鋨還有輕元素磷的峰值重疊,使用多功能且非常開放的 EDS 分析軟件 ESPRIT 可以輕松這兩種不同元素的譜峰。圖2表明,在鋨峰中放入磷的譜峰對正確表征譜圖至關(guān)重要。此外,用于鈣元素的峰值也清楚地出現(xiàn)在扣除背底的譜中(沒有誤扣)。


原位分析


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In-situ Element Mapping at Elevated Temperatures

The use of heating holders, or any other in-situ reaction cells, which are suitable for electron microscopy and EDS, allows to monitor the effect of materials treatment in-situ or in-operando in the electron microscope. This means that information on changes in structure and element composition is available qualitatively and quantitavely with high spatial resolution.

Electron microscopy is the means to study materials with high spatial resolution. Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) in the electron microscope allows to map element distributions on the nanoscale. And finally, the use of heating holders, or any other in-situ reaction cells, which are suitable for electron microscopy and EDS, allows to monitor the effect of materials treatment in-situ or in-operando in the electron microscope. This means that information on changes in structure and element composition is available qualitatively and quantitavely with high spatial resolution.

EDS element maps for monitoring particle structure and composition changes during heating from 800°C to 1000°C

A Pt-Pd test specimen was investigated at various elevated temperatures using the Wildfire, a MEMS based heating holder from DENS solutions and a Bruker QUANTAX EDS system with an XFlash? 6T 30 detector on a standard scanning transmission electron microscope (STEM). The detector with 30 mm2 active area achieves a collection angle of 0.09 sr at a take-off angle of 22° in the STEM used. The specimen holder is of a new special design for improved thermal stability in z-direction, which allowed to monitor the same specimen area easily between room temperature and 1000°C. The EDS system provided suitable mapping times of a few min element map at each temperature step.
Figure 1 shows the development of the Pt-Pd nanoparticles with rising temperature.
Figure 2 demonstrates how the development of the particle number size and composition can be monitored quantitatively using PCA based phase analysis and arealy coverage.


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X 射線光譜單異原子的識別

納米級材料中的單個異原子在材料性能中往往起著關(guān)鍵作用。為了獲得對材料性質(zhì)的最 大控制,研究人員必須能夠檢測和識別不同厚度和成分的樣品中的各種異原子。

在這個案例中,我們演示了在掃描透射電子顯微鏡中,用EDS 在雙相碳質(zhì)納米尺度混合物中對單個Si、S、P和Ca 異原子的識別。為了充分展示該技術(shù)的魯棒性和與EELS 在單原子譜中的潛在優(yōu)勢,我們發(fā)現(xiàn)EDS 技術(shù)對樣品厚度或異原子物種類型沒有約束條件。各種異原子被 EDS 識別所需時間從8到57s 不等,歸一化計數(shù)率為0.096~0.007 counts s-1 pA-1。通過最 大限度地利用在原子的有效停留時間,最 小化電子束柵格的過采樣面積,實現(xiàn)了最 低的采集時間/最 高的有效計數(shù)率。


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