電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝 ， 是光刻工藝的延伸應用 。 電子束曝光系統是實現電子束曝光 技術的硬件平臺，系統的性能決定了曝光工藝關鍵尺寸、拼接和套刻精度等參數。

等離子清洗、蝕刻系統，PE&RIE等離子蝕刻模式,單、雙、多 模式選擇

聚對二甲苯涂層設備

桌面式等離子清洗、蝕刻系統，PE等離子蝕刻模式

桌面式等離子清洗、蝕刻系統，等離子刻蝕&反應離子刻蝕系統

VIL系列納米圖形系統（激光干涉光刻機）具有快速可重構光束傳輸、主動圖形穩定和精確樣品定位等強大功能。該系統可以通過使用標準2cm×2cm正方形或用戶定義形狀的圖案場進行重復曝光，在8英寸大面積上產生

通過將產品固定在拋光頭的較下面，拋光時，旋轉的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉的拋光墊上，拋光液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層拋光液液體薄膜。

PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設置合適的長晶溫度以及長晶氣壓，在此溫度以及氣壓下SiC發生明顯的分解與升華，產生Si和SiC蒸氣壓，在高溫爐內形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低

微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）系統，微波發生器產生的微波用波導管傳輸至反應器，并向反應器中通入不同氣體構成的混合氣體，高強度微波能激發分解基片上方的含碳氣體形成活性含碳基團和原子態氫，并形成等

原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）是通過氣相前驅體及反應物脈沖交替的通入反應腔并在基底上發生表面化學反應形成薄膜的一種方法

NIL壓印機的基本思想是通過模版，將圖形轉移到相應的襯底上，轉移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜，通過熱壓或者輻照等方法使其結構硬化從而保留下轉移的圖形。整個過程包括壓印和圖形轉移兩個過程。

NIL壓印機的基本思想是通過模版，將圖形轉移到相應的襯底上，轉移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜，通過熱壓或者輻照等方法使其結構硬化從而保留下轉移的圖形。

納米壓印技術解決了傳統光刻在特征尺寸減小過程中的難題，具有分辨率高、低成本、高產率的特點。自1995年提出以來，納米壓印已經經過了14年的發展，演變出了多種壓印技術。

陰較為熒光系統（Cathodoluminescence, CL）通常配置在掃描電鏡或透射電鏡中，能夠實現形貌觀察、結構和成分分析同陰較為熒光光譜的結合研究，實現全光譜熒光掃描成像。

Norcada提供科學領域的mems器件的定制設計和制造，以滿足客戶的具體要求。這種定制設計包括非標準尺寸、較薄的膜、多窗口陣列和帶圖案電較為的窗口。

Norcada提供了廣泛的MEMS電偏壓和電化學芯片。Norcada還可以提供客戶定制的軟件包，包括用于基于 STXM的應用程序的支架和MEMS芯片。